Japanski istraživači razvili su tranzistor koji normalno funkcionira na temperaturama do 1112 °F (600 °C). Riječ je o spojnom tranzistoru s efektom polja (JFET) koji kao materijal upotrebljava silicijev karbid (SiC). SiC-JFET-ovi smatraju se pogodnima za misije na Veneru, gdje se temperatura može podići do 860 °F (460 °C). Novi uređaj rabi dopante za stvaranje dviju poluvodičkih „brana“ u SiC-u kako bi se smanjilo curenje struje. Taj napredak otvara mogućnost izrade dugotrajnih sondi za istraživanje površine Venere.