Studija objavljena u časopisu Nature Chemistry opisuje novi pristup koji povezuje površinsku i čvrsto‑stanja kemiju s diskretnom molekularnom kemijom. Lutz Greb s Institutom za anorgansku kemiju tim je sintetizirao model u otopini koji oponaša „buckled dimer“, temeljni atomarni raspored na površinama poluvodiča. Model je konstruiran tako da prisilava jedinicu german‑german (Ge‑Ge) u zakrivljenu geometriju, čime replicira polarizirano, dvostruko reaktivno ponašanje tipično za čvrste površine silicija i germanija. Budući da model postoji kao pojedinačna molekula u otopini, istraživači mogu primijeniti standardne analitičke metode, poput NMR spektroskopije i jednoskalarne rendgenske diffrakcije, za ispitivanje njegovih svojstava. Ovakav pristup omogućuje brže pretraživanje i testiranje modifikacija površina bez potrebe za skupim ultra‑visokim vakuumskim uređajima. Projekt je financiran od strane Njemačkog istraživačkog fonda (DFG) i Europskog istraživačkog vijeća (ERC).