Istraživači su spojili GaAs/AlGaAs višekvantnojamsku heterostrukturu s visokokvalitetnom dielektričnom metapovršinom. Inženjering rezonantnoga međupodpojasnog prijelaza omogućio je nelinearni tenzor drugoga reda od 1,6 nm V⁻¹ pri valnoj duljini od 1,57 µm. Metapovršina je učinjena dostupnom u slobodnom prostoru, čime je učinkovita nelinearnost pojačana na otprilike 14 nm V⁻¹. Eksperiment je dokazao da kombinacija inženjeringa međupodpojasnog prijelaza i metapovršine stvara goleme nelinearnosti u bliskom infracrvenom i vidljivom spektru. Autori ističu da ovaj pristup otvara skalabilni put prema kompaktnim i učinkovitijim uređajima za nelinearnu fotoniku.