Kineska tvrtka CXMT planira predstavit DDR5 RDIMM proizvod koji će koristiti 4F² memoriju prije kraja 2026. godine. Time bi CXMT pretekla Samsung za oko dvije godine.
Pod vodstvom Cao Kanyua tvrtka je napredovala u razvoju 4F² DRAM arhitekture. 4F² proces je nova generacija memorije u kojoj su komponente jedne memorije vertikalno složene, što smanjuje površinu i povećava gustoću ćelija.
CXMT je već počela masovnu proizvodnju G5 i planira prijelaz na G6 čvor prije nego što će preći na monolitnu 3D DRAM. Ova tehnologija omogućava povećanje gustoće ćelija za 30-50 posto.
CXMT istražuje ovu tehnologiju već nekoliko godina i objavila je prvi rad o 4F² arhitekturi 2021. godine.
